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G3VM-353B

G3VM-353B/E MOS FET繼電器 最適合應(yīng)用于模擬信號開關(guān)的6腳型MOS FET繼電器 1B(1極常開)接點型 ? 可用于微小模擬信號的開關(guān)。 ? AC/DC兩用。
  • 產(chǎn)品介紹

  • 規(guī)格參數(shù)

深圳市月盛電子有限公司供應(yīng)G3VM-353B/E MOS FET繼電器
最適合應(yīng)用于模擬信號開關(guān)的6腳型MOS FET繼電器
1B(1極常開)接點型
? 可用于微小模擬信號的開關(guān)。
? AC/DC兩用。

G3VM-353B/E參數(shù)

(注1):測量輸入輸出間的耐壓時,分別對LED針腳、受光側(cè)針腳統(tǒng)一地施加電壓。

電氣性能(Ta 25

項目 符號 最小 標(biāo)準(zhǔn) 最大 單位 條件
輸入側(cè) LED正向電流 VF 1.0 1.15 1.3 V IF=10mA
反向電流 IR 10 μA VR=5V
端子間電容 CT 30 pF V=0、f=1MHz
觸發(fā)LED反向電壓 IFT 1 3 mA IO=10μA
輸出側(cè) 最大輸出導(dǎo)通電阻 A連接 RON 15 25 Ω Io=150mA
B連接 8 14 Ω Io=150mA
C連接 4 7 Ω Io=300mA
開路時漏電流 ILEAK 1.0 μA IF=5mA、VOFF=350V
端子間電容 COFF 85 pF V=0、f=1MHz、IF=5mA
輸入輸出間電容 CI-O 0.8 pF f=1MHz、VS=0V
輸入輸出間電容絕緣電阻 RI-O 1000 VI-O=500VDC、ROH≦60%
動作時間 tON 0.1 1.0 ms IF=5mA RL=200Ω、VDD=20V(注2)
復(fù)位時間 tOFF 1.0 3.0 ms
(注2): 動作· 復(fù)位時間


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